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LPCVD淀积LTO工艺研究

来源:未知作者:admin 日期:2020/09/04 05:35

  第2 8卷 第 1 期 2 1 3月 0 0年 集成 通 电 道 讯: J C NGDI I HE ANLU O T NGXU N Vo . 8 No i2 .1 Ma . 01 r2 0 L C D 淀 积 L O 工 艺 研 究 PV T 简 崇 玺 ( 中邦火器 工业 第 2 4研 究所 蚌 埠 1 摘 要 234 ) 3 0 2 集成 电道 集成度 的提 高 , 别是等 离子 刻蚀 工 艺的 通常 应 用 , L C D淀 积 的二 氧 化硅 特 对 PV 薄膜 的质料 , 出了更 高的要 求 。分 析 了 L C D 体系 的 气体 弥散 管 和石 英 笼 罩舟 的 结 构及 其 对 革新 提 PV L O膜平均性 的影响, T 考虑了腔 室压力和反映气体流量比对 L O薄膜平均性的影响。 T 症结词 淀积 二氧化硅 薄膜 均 匀性 流量 比 的平均性 , 只是采 用 一 般 的温 度梯 度来 赔偿 浓 度 的举措是 对比 贫困 的 , 是需 要合 理 的传送 与分 而 配 源气 , 当 的设 置 反 应 压力 和 气体 流量 比来控 恰 制 平均 性 。 1 前 言 低 温二 氧化硅 ( T ) L O 工艺 的 主意是 正在硅 片 上 淀积 低温 二氧化硅 薄膜 , 以增 加场 区厚 度 , 用 同时 回流下降 氧化层 台阶 。二氧化 硅是 一种 众用处 的 基 本色料 , 它通过热氧化成长和为满意不 同央浼 采用 不 同工 艺淀 积得回 。热氧 化法 的二 氧化硅 生 3 气源分 配器 布局判辨 3 1 弥散管 布局 . 长是 一个 限制 的过 程 , 氧化 速 率 随 着 氧化 膜 厚 即 的增 加 而降落 , 工 艺 得回 的最 大 实 用 薄膜 厚 度 该 低 于 2x 1 m。大 大都情 况下 , 氧 化 法 用 于制 备 小 热 于 1 m 厚 度 的 氧 化 膜 。 低 压 化 学 汽 相 淀 积 t t (P V ) L C D 体系进 行 低 温 氧 化 制 备 二 氧 化 硅 正在 整 个半 导体工 业 中是 被广 泛 采 用 的方 法 , 其特 点 是 为 了驯服源 气从 进气端 到 出气 端 的耗 损 以及 反映速率难控的题目 , 普及片问平均性 , 采用气体 弥散 管是 很是必 要 的。最初 采用 的气 体 弥散管 是 不锈 钢管 , 因为如此 存正在 金属粒 子 的沾 污 , 但 于是 改用 石英 质料 的弥散 管 。弥散管 上小孔 的孔 径和 密度 是原委 精 确 的设 计 而 确定 的 , 悉数 反 应 区 正在 淀积 温度低 和 H F腐 蚀速度 高 。 小孔 分散 密度 及 孔径 有 所 不 同 , 孔 之 间有 的是 小 间距 相当 而孔 径 不等 , 的是 孔径 相 等 而 间距 不 有 等 。为 了保 证 片 子 的批 间 重 复性 , 求 这些 小 孔 要 的孔 径不 得 因冲洗腐 蚀 而变更 。氧气 和硅烷 各用 一 2 L O工 艺 题目 T L O工艺设置的托具采用的是底盖配套的石 T 英笼 舟 , 气体 源差异 为硅烷 和氧气 , 所选 其标 准范 围 为 : O m mn~4 n / i。 因为 气 体 源 反 应 2n/ i 0 m mn 速率 太大 , 烷耗费 很速 , 硅 经常 仅正在靠 近 进气 端的 几个 片子能 淀积 上 二氧 化 硅膜 , 二 氧 化硅 淀 积 使 根弥散管 , 差异往日后两头进气, 源气 由小孔喷 出达 到硅 片外 面 , 证 了 反映 腔 室里 的气 体 能均 保 衡分 布 。通 过 气 体 弥散 管 的改良 , 整 个 反映 区 正在 的不 同位 置 的进 胸襟 可 以得 到精 确 控 制 , 以对 可 L O膜 的片 问平均性 实行 充塞 独揽 。 T 3 2 笼舟 布局 . 的片 间平均性 变得 很差 , 的均 匀性 很难 独揽 , 膜 给 工 艺 的调 试 、 定 、 控 带 来 了很 大 的 困 难 。正在 稳 监 L O工 艺 中 , 通 常 会 涌现 所 谓 的 “ 眼 窗 ” T 也 牛 效 应, 即正在一枚 片子 上的二 氧化硅 膜会 涌现 边际 厚 , 中央 薄 的情景 。要 解 决 L O工 艺 中二 氧化 硅膜 T 为 解析决 源气 正在 硅 片 外 面分 布 不 均 的 题目 , 舟 的布局 局面 起 到 了症结 的作 用 。使 用 鼠笼 舟可 以改 善 L O薄膜 片 内平均 性 , 没有 鼠笼舟 的情 T 正在 第 8 第1 2 卷 期 集: 越 道 通信 成 片内平均 性 。 l 3 况下 , 当气 流从 弥散 管 中喷 出 , 子 下 部 接 触 源 片 众 , 部接 触 源 少 , 涌现 了硅 片上 部 薄 膜 薄 、 顶 就 下 部薄 膜厚 的 状 况 。有 了笼 罩 舟 后 , 上 面 的 盖 子 舟 可 以起 到阻滞 气 流跑走 的影响 , 气源 反射 回来 , 将 从 而增 加 了片 子 外 面上 部 接 触 的气 源 量 , 整 个 使 硅片 外 面的气 源量 抵达 平均分 布 。 鼠笼 舟 的布局 4 工 艺 实行 实 验 选 用 美 邦 生 产 的 T E MC 9 0 型 H R O00 L C D系 统 , 了反 应 源 气 能 均 匀 分 布 , 得 高 PV 为 获 的 薄膜均 匀性 , 采用 上述 布局 的弥 散管 和舟 , 散 弥 管放 正在炉 管底 部 , 鼠笼 舟 的孔 采 用条 形 状 的 。正在 悬臂 上放 置 3个 石 英 鼠笼 舟 , 般 每个 舟 的前后 一 两个 槽是不 放 片子

  LPCVD淀积LTO工艺考虑_电子/电道_工程科技_专业原料。集成电道集成度的普及,非常是等离子刻蚀工艺的通常使用,对LPCVD淀积的二氧化硅薄膜的质料,提出了更高的央浼。判辨了LPCVD体系的气体弥散管和石英弥漫舟的布局及其对革新LTO膜平均性的影响,考虑了腔室压力和反映气体流量比对LTO薄膜平均性的影响。

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